| |
|
การเสียหายแบบแอบแฝง |
|
ของเสียที่เกิดจากอาการเสียแบบนี้ยากที่จะตรวจสอบพบ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ได้รับความเสียหายจาก |
| ESD ลักษณะนี้จะทำงานได้ต่ำกว่ามาตราฐาน แต่ก็ยังทำงานได้ตามที่ออกแบบไว้ อย่างไรก็ตามอายุงานของ |
| อุปกรณ์ชิ้นนั้นจะลดลงอย่างมากมาย และจะเสียหายในไม่ช้า เมื่ออุปกรณ์ชิ้นนั้นถูกประกอบเข้าเป็นอุปกรณ์ |
| สำเร็จ ความเสียหายที่เกิดจากเหตุการณ์เหล่านี้มีมูลค่าสูงมาก เนื่องจากค่าใช้จ่ายในการซ่อมสูงมาก และ |
| ในบางงานที่อุปกรณ์เหล่านี้ ไปเป็นชิ้นส่วนที่ควบคุมเกี่ยวกับการป้องกันอันตรายหรืองานที่เสี่ยงอันตราย |
| เช่น อุปกรณ์ของอากาศยาน ความเสียหายก็สูงขึ้นเป็นทวีคูณ |
| |
|
ปรากฏการณ์ ESD แบบพื้นฐานและอะไรเป็นสาเหตุที่ทำให้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เสียหาย |
| 1. การประทุของประจุไฟฟ้าสถิตสู่อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ |
| 2. การประทุไฟฟ้าสถิตจากอุปกรณ์ |
| 3. การประทุอันเกิดจากการเหนี่ยวนำของสนามแม่เหล็กไฟฟ้า |
| |
|
ความเปราะบางของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่อไฟฟ้าสถิตของอุปกรณ์ และการป้องกันที่จำเป็น |
|
วิธีการทดสอบที่อาศัยรูปแบบของเหตุการณ์ ESD จะช่วยให้เรานิยามความเปราะบางของอุปกรณ์ |
| อิเล็กทรอนิกส์ต่อ ESD อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์บางอย่างถูกทำลายได้อย่างง่าย จากการประทุของประจุ |
| ในระหว่างขบวนการผลิตแบบอัตโนมัติ ในขณะเดียวกันอุปกรณ์บางอย่าง อาจเสียหายได้ง่ายกว่าเมื่อเกี่ยวข้อง |
| กับบุคคลหรือบุคลากร การนิยาม ความเปราะบางต่อ ESD ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เป็นขั้นตอนแรก ในการ |
| ระบุ หรือบ่งบอกหามาตราการ ในการป้องกัน ปัญหา ESD มีอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จำนวนไม่น้อย มีความ |
| เปราะบางต่อ ESD ในระดับโวลต์เตท ต่ำๆ และก็มีไม่น้อย เลยที่เปราะบางต่อโวลต์เตทระดับ 100 โวลต์ |
| ชิ้นส่วนของ ดิสไดรว์ มีความเปราะบางต่อ ESD ในระดับที่ต่ำกว่า 10 โวลต์ แนวโน้มของการออกแบบ |
| ผลิตภัณฑ์ทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้วงจรขนาดเล็ก ที่เพิ่มขึ้น ก็จะทำใหระดับ ความ เปราะบางต่อ ESD สูงขึ้น |
| หรือทนต่อโวลต์เพียงไม่กี่โวลต์ ตารางที่ 4 แสดงให้เห็นถึงความเปราะบางต่อESD ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ |
| |
| ประเภทของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ |
อัตราทนแรงดันจาก ESD (Volts) |
| VMOS |
30-1,200 |
| Mosfet, GaAsfet, EPROM |
100-300 |
| JFET |
150-7,000 |
| OP-AMP |
190-2,500 |
| Schottky Diodes |
300-2,500 |
| Film Resistors |
300-3,000 |
| Schottky TTL |
1,000-2,500 |
|
|
| ตารางที่ 4 แสดงให้เห็นถึงความเปราะบางต่อ ESD ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประเภทต่างๆ |
| |
| บทสรุป |
|
โดยทั่วไปวัสดุทุกอย่าง สามารถทำให้มีประจุแบบไทรโบอิเล็กทริคได้ ระดับของประจุขึ้นกับลักษณะของ |
| วัตถุ เนื้อวัตถุ ความเร็วของการสัมผัสและการแยก ความชื้น และองค์ประกอบอื่นๆอีกหลายอย่าง การประทุ ของ |
| ไฟฟ้าสถิตอาจทำให้เกิดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เสียหายทันที (catastrophic) หรือเสียหายแบบแอบแฝง |
| (Latent failures) การประทุ ของประจุไฟฟ้าสถิตเกิดได้ทุกส่วนของขบวนการผลิต ขบวนการทดสอบ การขนส่ง |
| การขนย้าย การจับต้องต่างๆ หรือ แม้กระทั่งในระหว่างที่อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เหล่านั้น กำลังถูกใช้งาน ความ |
| เสียหายอาจเกิดจากอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ได้รับประจุเข้ามา หรือมีการถ่ายเทประจุออกจากตัวอุปกรณ์นั้นเอง |
| อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ มีความไวหรือ ความเปราะบางต่อ ESD ต่างกันไป การป้องกันปัญหาไฟฟ้าสถิต |
| ทำลายอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จะเริ่มจากการที่เราเข้าใจเรื่องไฟฟ้าสถิตเป็นอย่างดี เมื่อเราเข้าใจเรื่องราวเหล่านี้ |
| เราก็สามารถที่จะพัฒนา วิธีการป้องกันและ ควบคุมไฟฟ้าสถิตได้ดีมากยิ่งขึ้น |
| |
|
